摘星子 wrote:因為轉載了一篇台灣新聞引述彭博社的報導原文在這裡 而且你不止手機版發、兩岸新聞版也發一篇喔、看起來是胸有成竹嘛。總而言之 就是你對半導體製程太不了解了才會相信懂嗎。接下來C4F8 是什麼做用?
摘星子 wrote:因為轉載了一...(恕刪) C4F8是CLEAN 用的都查不出來?你真的太混了。你不能一直蝕刻的那樣子Sidewall會側蝕刻的所以現在知道為什麼要一直重複那兩個步驟了嗎?你們兩個只會一搭一唱狼狽為奸真是可悲,結果連這麼基本的半導體製程都完全不知道把什麼矽穿孔技術吹的好像發現外星人一樣另外一位你不用裝可憐的'把人拉黑再發主題偷偷批評別人,這就是你常常幹的事啊。
接下來要問的是從背面深蝕刻E-CHUCK大概要控制於幾度C內?才能避免PR燒焦?你不是整天發半導體的相關新聞?那為什麼連這麼基本的你都不知道懶得去頂那種垃圾文章啊、你EUV缺的只是光源嗎?KLA? INSPEC? HOYA?EUV的COATER?DEVELOP? 是不是只有日本TEL才有?
江湖問路不問心 wrote:你喜欢顶这篇,那就大家一起多看看成果和进度吧 支那摘早安~這又是什麼喇叭?你支那摘懂什麼叫成果和進度?請問支那驕傲的光刻機有多少公司用?你支那本土廠商有大力支持嗎?你不如貼貼有多少支那公司用,我還會看你兩眼,不然這種吹喇叭的新聞你是貼不膩喔?再來請問你支那摘懂什麼叫納粹嗎?留島不留人、核平台灣算不算納粹思想?你白痴支那摘有念過書嗎?