zcbmnvx wrote:
這裡很多半導體大神小...(恕刪)
GAA 就是一個過度神化的產物, 要知道GAA 跟FinFET 都是最先由胡正明博士"同一時期"所提出的
而胡正明是台積電前技術長. GAA 真有甚麼了不起,台積早就拿出來做了
況且GAA 是通道( channel) 設計,跟甚麼3nm 30nm ( gate length) 一點關係都沒有，
GAA 一級棒的話, 22nm就會拿出來用.
台積自己的網站早在2018就公布過GAA
https://research.tsmc.com/chinese/research/logic/publish-time-3.html
https://ieeexplore.ieee.org/document/8614577
要知道企業又不是大學教授, 會把研究成果發表論文, 表示要嘛對商業沒甚麼幫助
要嘛該鋪好的專利防護早就鋪好. 否則發表論文不是把研究成果或方向告訴對手嗎?
以GAA 的架構, 目前3nm一根FinFET 大約可以想像成5nm寬, 50nm高的鰭片,
鰭與鰭間距約20nm, 做成GAA 只不過多出3nm的 通道長度 ( 50X2 +3 --> 50X2 + 3X2)
只約莫能提升106/103 連3%都不到的理論強度, 但成本提升將會是非常非常巨大
可以通過台積自行公布的2nm 能耗將比3nm節省25% 而3nm對比5nm 能耗也是提升25%
就可以知道GAA 不過是噱頭 ( 否則號稱GAA 對漏電流控制更佳, 確沒有帶來更多的提升?)
可以說台積不發展GAA 其實就是客戶的要求, 相同的機台若是拿來生產GAA
由於製程複雜度. 月產出將會少非常多片. 相對的成本 就會非常巨大.
另外GAA 在晶片設計架構上也與FINFET 有非常巨大的差異
前文有提到,5奈米之後, 晶片透過設計可以提升30~50% 都有, 晶片商花一樣的錢做RD
與其投入2nm, 不如5nm好好專研 所能提升的更高於直接進入2nm
三星, intel 不懂這道理,因為他們根本沒有與客戶站在同一邊,
不管是台積的對手,或是其他晶片商的對手. 一直以來就是以站在對立面思考
沒有客戶的支持, 就像拍了一堆不知所云的藝術片.
充滿了文藝氣息. 但票房? 拍藝術片是要討論甚麼票房??
