三星拋資本支出新高震撼彈，國內DRAM現陰霾
精實新聞 2010-05-18 14:32:15 記者 楊喻斐 報導
三星電子本週一宣佈了史上最高額度的年度資本支出計畫，其中記憶體部門資本支出總額將由原先計畫的5.5兆韓圜大舉提升至9兆韓圜；在這些支出當中，除將積極提升DRAM 30奈米製程比重外，也將投入一座月產能可達20萬片的12吋廠興建計畫，同時用來生產DRAM與NAND Flash，月產能規模之大前所未見，預料最快2011年下半年正式投入。而國內DRAM廠在先進製程已遠遠落後三星的情況下，1年後所面臨的競爭壓力勢必將更加沉重。
就在三星呼籲各家DRAM業者不要盲目擴產之際，自己卻預計在今年投入史上最大的資本支出。三星電子就是趁著日本、美國以及台灣本土DRAM廠好不容易熬過金融海嘯，財務體質尚未健全時，除一舉拉大製程進度之外，在產能規模上也將更上層樓，以期能在未來一年後，拿下更高的市佔率。法人則認為，預期三星在2年之後，在記憶體市場將有機會挑戰40-50%的市佔率，大幅領先同業。
至於國內DRAM業者所期待記憶體產業的2年好光景，也恐將被三星擴產計畫給打亂。雖然從另一個角度來看，三星如此大動作的擴產，也表示看好未來幾年內的需求，但是一但供給面增加，價格就不會太好看，如此一來，2年的好光景恐將頓時縮短，的確不利於國內DRAM業者。
為了搶搭今年的PC復甦潮，國內各家業者包括南科(2408)、華亞科(3474)、力晶(5346)以及茂德(5387)都將啟動募資計畫，其中力晶、茂德為了改善財務結構，更計畫進行減資。相較於三星已經投入3X奈米製程，南科、華亞科選擇與美光合作，希望可以在第二季底前全部轉換至50奈米製程，下半年則會再投入42奈米。
力晶、茂德、瑞晶則是隸屬於爾必達陣營，現在以瑞晶的獲利最佳，瑞晶預計7月份開始導入45奈米，至於茂德則要等到明年年中才要轉換至45奈米，至於力晶轉換的進度則尚未明朗。
從製程競賽的角度來看，三星不斷投入先進製程，製造成本也跟著往下降，國內廠商若要全部轉換至50奈米以下製程（採浸潤式機台），至少也等到明年年中才會見到明顯的成效，因此台灣DRAM廠在單位成本上將缺乏競爭力。
接下來，台灣DRAM廠應該要更積極與合作夥伴評估新的抗韓計劃。就如同拓墣產業研究所副所長黃鋰之前所說，國內DRAM產業短期危機已經過去，國內DRAM廠要趁今年景氣復甦之際，好好養精蓄銳，改善財務結構，並且要不斷的降低製造成本、提升產品品質以及製程升級，若政府能夠給予全力支援，更加有助於國內DRAM產業長期發展。
