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1.內建記憶體 4GB Soldered DDR4-3200 + 4GB SO-DIMM DDR4-3200
2.擴充 Up to 12GB (4GB soldered + 8GB SO-DIMM) DDR4-3200 offering
想問:
1.是一條焊死的一條活的嗎??
2.還有這樣擴充4 + 8G還能跑雙通道嗎?
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第二個問題呢
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austinx wrote:
1.是一條焊死的一條活的嗎??
2.還有這樣擴充4 + 8G還能跑雙通道嗎?
1. 從帳面上來看的文字說明 : 確實 4GB 焊死, 留一個 SO-DIMM 可擴充空間.
2. 有的, 關鍵字 " 非對稱式雙通道.
連結 : https://www.hkepc.com/18176/4G_%2B_8G_%E8%A8%98%E6%86%B6%E9%AB%94%E8%83%BD%E5%90%A6%E9%81%94%E6%88%90%E9%9B%99%E9%80%9A%E9%81%93_Intel_%E5%AE%98%E6%96%B9%E5%9B%9E%E7%AD%94%E7%95%B6%E7%84%B6%E7%84%A1%E5%95%8F%E9%A1%8C
非對稱式雙通道早已行之多年, 差異只在記憶體資料搜尋時間能縮短多少.
同時脈, 同容量最高可將搜尋時間降底至 50%
不同容量只是搜尋時間降低幅度沒那麼高; 容量差距越大, 與單通道搜尋差距時間越少.
如此而已.
例如 :
8 GB + 8GB 可有效讓資料搜尋時間距 50%
8 GB + 48GB 可有效讓資料搜尋時間距只剩 14.28 %
本名 : 許德龍, 擅長於電腦系統規劃及疑難排解.
康允企業有限公司及DELL客製化原廠業務合作夥伴
