borr wrote:
怪怪, KC2500...(恕刪)
0E問題不是針對特定廠商、型號，應該說是所有的NVME SSD都有可能
除了某間韓系大廠，大量0E災情
以及對岸長江某段時期生產的128層顆粒(X2-9060)，有0E問題(官方已承認)
在NVME的SMART，明確記錄"讀取異常"就只有0E項目
承如你所問的成因，韌體、Flash顆粒都有可能，還有其他外部因素，導致0E
但絕大多數"讀取異常"的問題還是來自於Falsh顆粒本身
個人認為，可以用"漏電率"的角度來看
合規健康的Falsh顆粒，漏電率低，電荷不容易流失==>數據保存期間長
隨著寫入增加，壽命減少，損耗增加，漏電率提高==>數據保存期間變短，存放時間久的數據讀取緩慢(冷數據)
接近壽命終點，大量的損耗，漏電率極高==>數據保存期間極短，甚至可以說無法保存數據，也就是壞塊
韌體的話，就是看怎麼處理冷數據的問題
通常主控會定時重刷時間到期的區塊，重新刷新數據
或是發現某些區塊的數據讀取異常緩慢(報0E)，然後刷新
發現讀取異常，ECC出現無法糾正的錯誤(報0E)，產生壞塊==>屏蔽壞塊，由備用區塊替補
韌體會不會真的去做以上這些數據安全的動作，完全是由廠商自己設定
以我的KC2500為例，韌體版本S778101，8樓frank2424大大的KC2500，韌體版本S778102
大量的0E，數據丟失==>壞塊產生
理應屏蔽壞塊，由備用區塊替補，數據安全優先
但是，實際上是...
韌體的邏輯行為，這點就比較少人注意
就看有沒有人分享SSD 炸0E陣亡時的SMART
項目03的可用備用區塊有沒有減少去做替補
最重要的還是顆粒本身品質
在意數據安全，如果預算許可，盡量選原廠顆粒的原廠盤
顆粒品質比較有保障
