這裡好像有提到HTC 10使用的是SanDisk的 iNAND® 7232

http://www.anandtech.com/show/10238/hands-on-with-the-htc-10

而到SanDisk的官網發現 iNAND® 7232這顆是 e.MMC 5.1架構

https://www.sandisk.com.tw/oem-design/mobile/inand#--section
K
(有錯請指證)

revive wrote:
發文前都不會先爬一...(恕刪)


你有看清楚標題嗎??

e.MMC 5.1跟e.MMC5.0

差別很大…
revive wrote:
發文前都不會先爬一下...(恕刪)


他的意思是從晶片編號來看,HTC10應該是eMMC 5.1而不是eMMC 5.0,雖然都是eMMC 架構兩者還是有所不同,我當初聽到說HTC10用eMMC 5.0也覺得很奇怪,因為A9都用eMMC 5.1了,怎麼10會回頭用eMMC 5.0?

MAX1027 wrote:
你有看清楚標題嗎?...(恕刪)


可能歐大筆誤了, 加上有心人不斷放大, 搞得好像HTC 10真的用了很舊很差的零組件, 放火快滅火難, 相信半年後還會有人繼續拿5.0來說嘴的
請問5.1和5.0的差異在那呢?
求解,感恩
chunsak wrote:
請問5.1和5.0...(恕刪)


差別在於讀取/寫入的速度
chunsak wrote:
請問5.1和5.0...(恕刪)


轉載自: http://www.eagletek.com.tw/news.php?act=view&no=36

手機或行動裝置大部分儲存介面皆以 eMMC 為主要架構,而在版本的演進上來到了 eMMC 5.1,目前不少 SoC 大廠已經在加入了 eMMC 5.1 支援。

eMMC 5.0 與 5.1 最大的差別在於加入了 command queue 命令佇列的支援,最高可以達到 Queue Depth 32 深度,雖然比起 UFS 等更前瞻的規格看起來還是略輸,但不失為一個有效提升性能的改進。根據 Samsung 提供的數據,
原先 64GB eMMC 5.0 產品在性能上大約是讀取 250MB/s、寫入 90MB/s,隨機性能讀寫分別 7000 IOPS;
eMMC 5.1 版本產品則是可以將寫入性能提升到 125MB/s ,隨機性能讀寫也跟着提升至 11000 與 13000 IOPS。

在 5.1 的更新中,最重要的昰 Command Queueing 命令佇列,能在裝置內對存取命令最佳化並排序,比起原先的 single threaded 可以更提升存取的效率,進而提升隨機存取性能與隨之相關的使用者體驗。

另外,在 eMMC 5.1 中也加入了對安全性的強化,增加了 Secure Write Protection 機制,另外強化了在 eMMC 5.0 中的閃控模式 Strobe Mode,稱之為 Enhanced Strobe Mode,Strobe Mode 主要是增加 host 與 device 間的同步次數來提升傳輸率。

eMMC 5.1 主要增添的功能有:
– Extension to 8KB of RPMB(Replay Protected Memory Block)
access data length for throughput improvements;
– Cache Enhancement Barrier、Cache Flushing Report;
– Background Operation Control;
– Editorial clarifications;
手機平均一兩年就要換了
相信沒有人會在意eMMC5.0、5.1
就像iP6當初的MLC、SLC事件
就連iP6s的台積電、三星版
把握當下、愛要即時;勿以惡小而為之、勿以善小而不為。
Newman.Chen wrote:
手機平均一兩年就要換...(恕刪)

那是在別版,HTC版只要一出錯或作了啥,就一鞭在鞭,鞭了又鞭...
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