我倒覺得讀寫速度差異還好,
eMMC不支援全雙工可能影響更大...
跟理盲講理~黑人問號!?

gungunM wrote:
我倒覺得讀寫速度差異還好,
eMMC不支援全雙工可能影響更大...



已經下定 M10 64GB, 專賣店玩了一陣子之後, 跟老婆的Note5 64GB (UFS 2.0)相比, M10的整體反應速度真的比較快一點(尤其是touch)

Note5因為預載了一海票的apps或許拖累了一些

我知道UFS 2.0當然還是比eMMC5.1強, 但是沒有大量IO的需求的話, 真的不用糾結在這個點, 就像S7系列也沒有QC3.0充電一樣

不知道 64GB 版的讀寫速度會不會比 32GB 版還來得快?!
這篇轉載寫的很清楚
但也可以說很模糊
數據是 vendor 提供的
很漂亮沒錯
實際上呢?
用起來無感!

diba.qiu wrote:
轉載自: http://www.eagletek.com.tw/news.php?act=view&no=36

AMDer wrote:
已經下定 M10 64GB...(恕刪)


最近才從M9換S6,
HTC在滑順度比起5.1版本的S6真的是順超多,
slag體驗不是很好,看網頁都頓頓的...
但在APP開啟以及玩Real Racing3關卡切換時,
S6就快非常多...
但如果的Note升級6.0後,
會解決slag的問題,
整體用起來會有很大的提升
跟理盲講理~黑人問號!?
所以應該是emmc5.1沒錯吧!
gungunM wrote:
我倒覺得讀寫速度差...(恕刪)

7650 wrote:
所以應該是emmc5...(恕刪)


"是使用 emmc 5.1, 有支援 command queue."

問過朋友了...
是有差啦!不過以目前手機軟體來說差距不大,I/O讀寫在手機上又不是掛BT或者

跑什麼大程式,應該差別不大,開機時間或許比較明顯,不過手機也沒有人一直重開吧!

個人看法是跑分一定有差,用起來差不了多少。
http://oemblog.sandisk.com/mobile/the-new-htc-10-is-an-epic-smartphone-2/

HTC 10™, announced by HTC on April 12, 2016, is the latest SanDisk EPIC-enabled smartphone. The HTC 10 comes with SanDisk’s best-in-class storage solution embedded, the iNAND® 7232 embedded flash drive (EFD), and surpasses EPIC guidelines with its outstanding features that deliver stunning results even in low light and for novice mobile photographers.

SANDISK也有說是用 iNAND® 7232

iNAND 7232 是採用 SanDisk 15nm 製程的 「TLC 」NAND Flash 產品
tgoow wrote:
SANDISK也有說是用 iNAND® 7232

iNAND 7232 是採用 SanDisk 15nm 製程的 「TLC 」NAND Flash 產品


對比三星Galaxy S7 Edge 的NAND是三星自家的KLUBG4G1CE 32 GB,
採用UFS2.0標準,MLC颗粒。
http://news.mydrivers.com/1/472/472655.htm

HTC跟蘋果一樣潮了,都用上TLC NAND...

如果說換掉amoled營幕是為了耐用
怎麼卻又用TLC NAND?


這時回想起1個多月前版友夢境提到的一句話

接招接接接 wrote:
在我想多摸一下時,那位人士突然收回手機,跟我說:醒醒吧,孩子,你值得其他更好的(恕刪)


現在看來除了夢境絲毫不差,連話都相當有深意啊..

請問目前非韓國或大陸手機,哪隻有指紋辨識,非虛擬按鍵,大小小於5.5吋,喇叭音質可以媲美M7,usb3.1 type-c,拍照有HTC 10的水準?
不然我實在也找不到其他更好的了
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