2分

樓主

個人積分：2分

文章編號：44474821

討論一下有關BJT+MOSFET 電源開關的問題，請各位幫幫忙

各位大大，目前小弟在電路設計時遇到了一個怪問題，解了很久、想了很久，就是無法理解
以下是我電路的解說

我的LDO最大耐流為350mA(3V3)，CHOKE最大耐流為2A，MCU是一般常見的MICROCHIP，系統在開機時，送出了BT_EN(HIGH)的訊號，讓BJT打開，之後P-MOS導通，BT_3V3就有電壓了，這應該是正常的一個開關電路。
但問題來了，今天串聯的R192電阻阻值就很怪，以下是我遇到的問題
1.如果上了39.2K以下的電阻，當上這些阻值時，我的系統3V3就會一直被拉成LOW、HIGH，這樣一直的被切換，所以導至我系統起不來

討論一下有關BJT+MOSFET 電源開關的問題，請各位幫幫忙

2.如果上了49.9K以上時，系統3V3正常，但確沒有辦法將BJT導通，讓BT_3V3正常的輸出

3.只要我上了39.2K~48.7K時，整個系統都可以完全正常，也可以讓BJT導通，讓BT_3V3正常的輸出，這邊的Ir192電流就會落在84u~67.6uA

另外，BT_3V3這邊的Inrush current 高達140mA

麻煩各位廣大的大大們，有人可以幫我解釋這些問題嗎？如果還需要任何資訊，請在提出，我在提供出來讓大家一起討論，謝謝你們。

討論一下有關BJT+MOSFET 電源開關的問題，請各位幫幫忙

2013-06-19 15:32 #1

文章關鍵字

BJT+MOSFET 電源問題

amdmorgen

0分

2樓

amdmorgen

個人積分：0分

文章編號：44475400

ken510kimo wrote:
各位大大，目前小弟在...(恕刪)

上 R56(10K)的目的是做什麼? 拆掉它吧.

Inrush current 太大,可以考慮使用soft start,
可以在R191上併一顆電容(如1uF)看看.

ken510kimo

2分

樓主

ken510kimo

個人積分：2分

文章編號：44475907

上R56的目地是怕如果CHIP沒有關好，預防漏電出來，所以才接它的。
在R191並一顆電容的目地是？濾波？充電？

謝謝指教

69分

4樓

謝謝指教

個人積分：69分

文章編號：44476467

ken510kimo wrote:
各位大大，目前小弟在...(恕刪)

R56 上面的偏壓應該是 BT_EN * R56/(R192+R56)吧, 是不是要測量一下BT_EN 與 R56上面的偏壓對照BJT的規格, 看看BJT的工作範圍?
如果R192的電阻太大, 那胯接在R56上的偏壓太低, 確實無法驅動BJT, 但是若是R192太小, R56上偏壓太高BJT會開開關關的, 這我就沒實驗過了, 這個問題還是要實際去測量BT_EN 的電壓, 與 R56上的偏壓, 對照BJT的DATASHEET 才曉得.

另外BT_3V3的 Inrush 是看你後面的loading的吧, 是持續的一根一根的嗎, 還是只有 on 的瞬間才有140mA跑出來, 之後就正常了?
如果只是開機的瞬間, 那你就可以用樓上說的緩起動, 在R191的 1 點 "串" 上一個電容到REF.

抱歉更正一下, 剛剛說的串一個電容在R191的1跟REF之間這個做法是錯誤的, 因為不管串或聯到REF 無法達到緩起動的目的, 這個開關是在BJT上, 開了之後電容早就無用了, 本來我也想了一下要並一個電容在BJT的EC端, 可是這也是沒用的, 你這組線路好像沒辦法了, 只能在BT_3V3那邊加大電容試看看了

另外想請問一下, LDO出來加上一個2A的Choke功用是?

香酥雞巴比Q

403分

5樓

香酥雞巴比Q

個人積分：403分

文章編號：44476856

ken510kimo wrote:
上R56的目地是怕如果CHIP沒有關好，預防漏電出來，所以才接它...(恕刪)

chip沒關好，你上r56，bjt還是一樣被打開，不是嗎？

另外，不作soft start，源頭vcc3在切開關時，不會有drop嗎？
加個0.1u或1uF，比較保險。

choke應該是多餘的，錢太多，除非你電真的很髒，EMI很爛。
真要用，用BEAD就夠了吧。

你系統vcc3會一直high low，就是因為bjt正常運作後，拉力太強太快。
問題就出在你的mos沒有soft start，系統vcc3才會被扯掉。

你找公司一位資深同事，問他mos這邊該怎作soft start。（加個小電容應該就好了）
問題就解決了。

注意一下藍芽有沒有power 跟 enable的sequence。

辛苦的打字，只是為了充實資源回收桶的容量～～

zy2002

0分

6樓

zy2002

個人積分：0分

文章編號：44477057

我的建議是在bjt的基極，pmos的柵極各加一個電容。

LHWIN

478分

7樓

LHWIN

個人積分：478分

文章編號：44477371

ken510kimo wrote :各位大大，目前小弟在電路設計時遇到了一個怪問題，解了很久、想了很久，就是無法理解
以下是我電路的解說

我的LDO最大耐流為350mA(3V3)，CHOKE最大耐流為2A，MCU是一般常見的MICROCHIP，系統在開機時，送出了BT_EN(HIGH)的訊號，讓BJT打開，之後P-MOS導通，BT_3V3就有電壓了，這應該是正常的一個開關電路。
但問題來了，今天串聯的R192電阻阻值就很怪，以下是我遇到的問題
1.如果上了39.2K以下的電阻，當上這些阻值時，我的系統3V3就會一直被拉成LOW、HIGH，這樣一直的被切換，所以導至我系統起不來

2.如果上了49.9K以上時，系統3V3正常，但確沒有辦法將BJT導通，讓BT_3V3正常的輸出

3.只要我上了39.2K~48.7K時，整個系統都可以完全正常，也可以讓BJT導通，讓BT_3V3正常的輸出，這邊的Ir192電流就會落在84u~67.6uA

另外，BT_3V3這邊的Inrush current 高達140mA

麻煩各位廣大的大大們，有人可以幫我解釋這些問題嗎？如果還需要任何資訊，請在提出，我在提供出來讓大家一起討論，謝謝你們。

...(恕刪)</blockquot>
Mark

zy2002

0分

8樓

zy2002

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文章編號：44477459

另外，樓主用什麼軟體做的圖？我是陸陸，有些好奇。

嗨

10分

9樓

嗨

個人積分：10分

文章編號：44477684

這題我也有興趣來mark一下mark一下mark一下

ken510kimo wrote:
各位大大，目前小弟在...(恕刪)

ken510kimo

2分

樓主

ken510kimo

個人積分：2分

文章編號：44478396

to 謝謝指教大大
確認BT_EN 電壓為3.32V，所以R56 上面的偏壓應該是 BT_EN * R56/(R192+R56)=0.67V(實際量測為0.62V)
這個問題還是要實際去測量BT_EN 的電壓, 與 R56上的偏壓, 對照BJT的DATASHEET 才曉得.(請問這個部份，我需要查BJT的DATASHEET 哪一個部份會寫這段？)
另外BT_3V3的 Inrush 是看你後面的loading的吧, 是持續的一根一根的嗎, 還是只有 on 的瞬間才有140mA跑出來, 之後就正常了?(是ON的瞬間才有的，之後就正常)
另外想請問一下, LDO出來加上一個2A的Choke功用是? (應該是INDUCTOR才對啦)

TO 香酥雞巴比Q大大
chip沒關好，你上r56，bjt還是一樣被打開，不是嗎？
(如果沒關好，至少不讓它漏電漏太過嚴重而已)
另外，不作soft start，源頭vcc3在切開關時，不會有drop嗎？
加個0.1u或1uF，比較保險。
(這個部份其實是有加入的，等等貼圖上來)
choke應該是多餘的，錢太多，除非你電真的很髒，EMI很爛。
真要用，用BEAD就夠了吧。
(是INDUCTOR才對啦)
你系統vcc3會一直high low，就是因為bjt正常運作後，拉力太強太快。
問題就出在你的mos沒有soft start，系統vcc3才會被扯掉。
(可我後面電路有加了耶，等等貼圖上來)
你找公司一位資深同事，問他mos這邊該怎作soft start。（加個小電容應該就好了）
問題就解決了。

注意一下藍芽有沒有power 跟 enable的sequence。
(沒有這些腳位)

TO ZY2002
就電子業界在使用的ORCAD

下圖就是電路的另一個部份，我確實是有加電容在MOS的部份